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芯片封裝低溫測試對溫控機露點有什么要求?

行業(yè)新聞 00

芯片封裝環(huán)節(jié)包含成品封裝器件、裸片、功率器件的低溫可靠性驗證,低溫工況下,循環(huán)系統(tǒng)內(nèi)部水汽析出,會在芯片引腳、焊盤位置形成凝露,造成引腳氧化、接觸不良,帶來隱性器件失效。很多產(chǎn)線只關(guān)注設(shè)備溫度、升降溫速率,忽略露點指標,不同封裝測試對象,對應(yīng)的露點控制標準存在明顯區(qū)別。本文梳理封裝低溫測試不同場景露點指標,分析露點超標帶來的各類影響,同時給出設(shè)備配置與日常管控要點。

芯片封裝低溫測試對溫控機露點有什么要求?(images 1)

一、不同芯片封裝測試場景露點參考對照表

測試工況參考露點指標適用對象風(fēng)險提示
普通封裝成品低溫粗測≤40℃普通消費類封裝芯片,僅做基礎(chǔ)溫循驗證不建議用于裸片、功率器件長時間測試
封裝器件可靠性老化測試≤50℃工業(yè)級、車規(guī)封裝芯片,長時間高低溫循環(huán)露點持續(xù)走高會加速焊點氧化
裸片、晶圓封裝前低溫測試≤60℃裸片、未封裝功率芯片、第三代半導(dǎo)體樣品露點超標易造成焊盤腐蝕,器件隱性失效
深冷封裝驗證70℃及以下≤65℃特種航天類芯片低溫測試對設(shè)備密閉、分子篩再生能力要求高

二、露點超標對芯片封裝低溫測試帶來的影響

封裝成品芯片雖然擁有外殼保護,但低溫測試過程中,水汽可以順著封裝縫隙滲入器件內(nèi)部,多次循環(huán)之后,內(nèi)部金屬結(jié)構(gòu)發(fā)生氧化,器件漏電流變大,可靠性壽命縮短。 針對裸片以及尚未完成封膠的半成品芯片,露點超標析出的微量水汽直接接觸裸露焊盤,出現(xiàn)微腐蝕,探針測試出現(xiàn)接觸不良,部分不良無法在測試環(huán)節(jié)直接檢出,流入下游客戶端之后才暴露故障。 同時系統(tǒng)內(nèi)部水汽會在換熱器內(nèi)壁結(jié)冰,形成隔熱冰層,拉低設(shè)備換熱效率,表現(xiàn)為降溫變慢、溫度波動變大,干擾溫循測試曲線,測試數(shù)據(jù)重復(fù)性變差。

三、實現(xiàn)合格露點需要的設(shè)備配置

1、整機采用全密閉負壓循環(huán)結(jié)構(gòu),減少車間潮濕空氣順著接頭、檢修門縫隙滲入回路,從源頭減少水汽進入系統(tǒng)。

2、配置雙組可在線再生分子篩干燥模塊,一組在線除濕,另一組離線再生,不用停機維護,保障長期運行露點穩(wěn)定。單組分子篩長時間運行會吸附飽和,露點會逐步抬升。

3、配置在線露點監(jiān)測傳感器,能夠?qū)崟r讀取系統(tǒng)露點數(shù)值,露點接近警戒閾值給出預(yù)警提示,方便運維人員及時開展再生作業(yè)。

4、選用低含水率的專用循環(huán)介質(zhì),介質(zhì)進廠做好含水率檢測,減少介質(zhì)本身帶入的水分。

四、現(xiàn)場使用過程露點管控要點

機房環(huán)境濕度建議控制在 55% RH 以內(nèi),環(huán)境濕度太高,會加大設(shè)備密封系統(tǒng)的除濕負擔; 定期開展分子篩再生操作,量產(chǎn)產(chǎn)線建議每 30 天完成一次再生校準; 每次更換循環(huán)介質(zhì)時,做好管路抽真空置換,避免加注介質(zhì)時大量空氣混入系統(tǒng); 設(shè)備出現(xiàn)露點異常,優(yōu)先排查管路接頭、腔體密封墊,排查有無微漏氣點位,再處理分子篩模塊。

總結(jié)

芯片封裝低溫測試,根據(jù)樣品是封裝成品還是裸片,對應(yīng)不同露點管控標準。普通封裝成品粗測可控制40℃以下;車規(guī)、工業(yè)級封裝可靠性測試建議50℃以內(nèi);裸片、半成品封裝測試需要維持60℃及以下露點。依靠密閉系統(tǒng)、在線再生分子篩、露點監(jiān)測三者協(xié)同,才能穩(wěn)定維持指標,避免水汽帶來的器件隱性失效。

芯片封裝低溫測試對溫控機露點有什么要求?(images 2)

FAQ

Q:封裝成品測試,露點45℃是否可以長期使用?

A:短期粗測可以,長期可靠性老化測試建議把露點控制到50℃及以下,降低封裝內(nèi)部氧化風(fēng)險。

Q:分子篩剛再生完露點達標,運行幾天又升高是什么原因?

A:大概率管路或者腔體存在微漏氣,外界水汽持續(xù)滲入,需要排查密封件。

Q:只依靠介質(zhì)更換,能不能替代分子篩實現(xiàn)低露點?

A:不能,介質(zhì)更換只能去除介質(zhì)內(nèi)部水分,無法處理運行過程滲入系統(tǒng)的水汽。

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